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碳化硅單晶材料
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碳化硅單晶襯底
產(chǎn)品規格：6英寸
產(chǎn)品類(lèi)型：導電型單晶襯底
產(chǎn)品優(yōu)勢：禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場(chǎng)、本征溫度高、抗輻射、化學(xué)穩定性好、電子飽和漂移速度高等優(yōu)點(diǎn)。
應用領(lǐng)域：主要應用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體器件等。
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碳化硅外延片
產(chǎn)品規格：4-6英寸
產(chǎn)品類(lèi)型：同質(zhì)外延片
產(chǎn)品特點(diǎn)：禁帶寬度大、臨界擊穿電場(chǎng)高、高熱導率、高電子飽和和遷移速度等。
應用領(lǐng)域：主要應用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體器件等。
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碳化硅功率器件
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碳化硅肖特基二極管
額定電壓：650-1200V
額定電流：2-60A
產(chǎn)品特點(diǎn)：碳化硅肖特基二極管相比普通的PN結勢壘二極管具有導通壓降低，開(kāi)關(guān)速度快、0反向恢復、耐高溫的優(yōu)點(diǎn)。
應用領(lǐng)域：碳化硅肖特基二極管可應用于光伏逆變器、高頻電源、高性能服務(wù)器電源、充電樁充電模塊等領(lǐng)域。
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碳化硅場(chǎng)效應晶體管
額定電壓：650-1200V
額定電流：30-100A
產(chǎn)品特點(diǎn)：碳化硅場(chǎng)效應晶體管（SiC MOSFET）具有更低的導通電阻，更高的工作頻率，開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，SiC MOSFET與Si IGBT器件相比可降低開(kāi)關(guān)損耗70%，高溫特性好、穩定性高。
應用領(lǐng)域：SiC MOSFET可應用于開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變器、充電樁充電模塊、新能源汽車(chē)OBC、DC/DC等。
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碳化硅功率模塊
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全碳化硅功率模塊
額定電壓：650-1200V
額定電流：100-600A
產(chǎn)品特點(diǎn)：全碳化硅功率模塊與傳統硅基IGBT相比，全碳化硅模塊具有更高的功率密度、更快的工作頻率，開(kāi)關(guān)損耗可降低70%以上。
應用領(lǐng)域：全碳化硅功率模塊可應用于軌道交通逆變牽引、新能源汽車(chē)電機控制器、光伏逆變器、ups電源、智能電網(wǎng)等。
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混合碳化硅功率模塊
額定電壓：1200V
額定電流：300A、450A、600A
產(chǎn)品特點(diǎn)：混合碳化硅功率模塊與傳統硅模塊相比，碳化硅混合模塊具有更高的功率密度、更低的開(kāi)關(guān)損耗以及更快的工作頻率。
應用領(lǐng)域：混合碳化硅功率模塊可應用于光伏發(fā)電、新能源汽車(chē)、軌道交通、不間斷電源、智能電網(wǎng)等。
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