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| 產(chǎn)品類(lèi)別 | 型號 | 產(chǎn)品描述 | 資料下載 |
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| SiC單晶片 | 6英寸導電型單晶襯底 | 小批量試產(chǎn)產(chǎn)品，禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場(chǎng)，用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。 |
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| SiC外延片 | 6英寸N型SiC外延片 | 禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場(chǎng)，用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件。 |
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| SiC SBD | CGC1S06506 | 電壓650V，電流6A，TO-220封裝，0反向回復特性，高頻、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGF1S06506 | 電壓650V，電流6A，TO-263封裝，0反向回復特性，高頻、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGC1S06508 | 電壓650V，電流8A，TO-220封裝，0反向回復特性，高頻、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGC1S06510 | 電壓650V，電流10A，TO-220封裝，0反向回復特性，高頻、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGF1S06510 | 電壓650V，電流10A，TO-263封裝，0反向回復特性，高頻、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGJ1S06510 | 電壓650V，電流10A，TO-220F封裝，0反向回復特性，高頻、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGC1S06515 | 電壓650V，電流15A，TO-220封裝，0反向回復特性，高頻、高可靠性。 |
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| SiC SBD | CGE1S06520 | 電壓650V，電流20A，TO-247-3封裝，0反向回復特性，高頻、高可靠性。 |
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