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其他化合物半導體 InAs

可用于制作波長(cháng)2——12μm的紅外發(fā)光器件及中紅外量子級聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應用前景。

其他化合物半導體 InP

具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優(yōu)點(diǎn)。適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。

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