2022年9月9日，合肥世紀金芯半導體有限公司年產(chǎn)3萬(wàn)片6英寸碳化硅單晶襯底項目投產(chǎn)儀式在合肥市高新區集成電路產(chǎn)業(yè)園隆重舉行，該項目的順利投產(chǎn)，標志著(zhù)公司產(chǎn)業(yè)鏈源頭自主可控能力升級，公司產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程邁入新篇章。據悉，世紀金芯產(chǎn)品目前已實(shí)現對下游客戶(hù)批量交付。

圖1 投產(chǎn)啟動(dòng)儀式現場(chǎng)

在現場(chǎng)嘉賓與媒體記者的共同見(jiàn)證下，合肥市委常委袁飛，合肥市人民政府副秘書(shū)長(cháng)汪華余，合肥市投資促進(jìn)局局長(cháng)吳文利，高新區黨工委委員、管委會(huì )副主任呂長(cháng)富，合肥市產(chǎn)投集團董事長(cháng)雍鳳山，世紀金光董事長(cháng)李百泉，中芯聚源合伙人兼總經(jīng)理孫玉望，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟副秘書(shū)長(cháng)趙靜，江汽集團新能源總經(jīng)理夏順禮共同上臺為投產(chǎn)啟動(dòng)儀式摁下啟動(dòng)鍵，點(diǎn)亮生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)臺。這一儀式的成功舉行，標志著(zhù)合肥世紀金芯年產(chǎn)3萬(wàn)片6英寸碳化硅單晶襯底項目正式投產(chǎn)。

投產(chǎn)儀式上，世紀金光董事長(cháng)李百泉在致辭中對關(guān)心支持世紀金芯6英寸碳化硅單晶襯底項目發(fā)展的合肥市委、市政府和高新區及市區兩級職能部門(mén)、公司股東以及全體項目建設者表示衷心的感謝！他表示，該項目的順利投產(chǎn)預示著(zhù)世紀金芯全產(chǎn)業(yè)鏈的成功啟航，未來(lái)“世紀金芯”將繼續與合肥攜手合作，在碳化硅領(lǐng)域深耕細作，在保持自身持續發(fā)展的同時(shí)，承擔更多的社會(huì )責任,為國家、為股東創(chuàng )造更大的社會(huì )效益和經(jīng)濟效益！

圖2 世紀金光董事長(cháng)李百泉致辭

    第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟副秘書(shū)長(cháng)趙靜在儀式上對世紀金芯6英寸碳化硅單晶襯底項目成功投產(chǎn)表示熱烈祝賀，并衷心希望第三代半導體在合肥這片獨具特色的創(chuàng )新熱土上，走出一條獨具特色的產(chǎn)業(yè)生態(tài)之路。第三代半導體聯(lián)盟也將進(jìn)一步以市場(chǎng)為牽引，以世紀金芯等骨干企業(yè)為依托，持續推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng )新和集群化發(fā)展。

圖3 第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng )新戰略聯(lián)盟副秘書(shū)長(cháng)趙靜致辭

合肥市高新區黨工委委員、管委會(huì )副主任呂長(cháng)富表示，合肥世紀金芯是國內優(yōu)秀的半導體企業(yè)，是高新區重點(diǎn)引進(jìn)第三代半導體碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)，高新區將堅定不移地做好項目服務(wù)和支持工作，為世紀金芯的發(fā)展壯大保駕護航，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng )造良好的營(yíng)商環(huán)境。

圖4 合肥市高新區黨工委委員、管委會(huì )副主任呂長(cháng)富致辭

據悉，該項目是世紀金光聯(lián)合合肥市、高新區、合肥產(chǎn)投集團共同打造碳化硅功率半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的一期項目，是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節之一，該項目的順利投產(chǎn)，可有效緩解國內大直徑導電型碳化硅單晶襯底供應緊缺的局面，對于下游芯片降低成本將起到積極作用，對提升碳化硅產(chǎn)業(yè)上、下游廠(chǎng)商的綜合競爭能力有很大的促進(jìn)意義。該項目總投資4.05億元，占地面積7200平方米，歷時(shí)11個(gè)月實(shí)現由工程建設進(jìn)入生產(chǎn)運營(yíng)，充分彰顯了“合肥決心”、“金芯速度”。該項目的投產(chǎn)是公司發(fā)展道路上的又一個(gè)里程碑，對合肥發(fā)展新能源產(chǎn)業(yè)將起到一定的推動(dòng)作用，也是合肥市政府聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)布局上取得的又一重大成果。

圖5 碳化硅單晶襯底生長(cháng)爐

最后，參加儀式的領(lǐng)導、嘉賓、媒體記者一同前往碳化硅單晶襯底生產(chǎn)線(xiàn)參觀(guān)。該項目以能源行業(yè)急需的新型功率半導體器件為背景，通過(guò)研究和分析碳化硅單晶襯底中各種缺陷的形成、發(fā)展、分布規律以及它們之間的相互作用機理，解決了影響單晶質(zhì)量的原料提純與制備、單晶生長(cháng)、單晶襯底加工等關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，開(kāi)辟能夠有效降低大尺寸單晶關(guān)鍵缺陷密度并提高單晶質(zhì)量的新途徑，為國內新型電力電子材料與器件的市場(chǎng)化應用起到引領(lǐng)示范帶動(dòng)作用。

圖6 生產(chǎn)線(xiàn)參觀(guān)講解

未來(lái)，公司將繼續秉承“創(chuàng )新、務(wù)實(shí)”的態(tài)度，抓住半導體行業(yè)國產(chǎn)化發(fā)展的機會(huì )，在技術(shù)創(chuàng )新、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)應用等方面不斷努力提升，不斷取得新成就，助力合肥半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現跨越式發(fā)展！